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供应硅单晶炉

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发布时间: 产品规格:
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产地: 辽宁锦州 价格说明: 0
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主要用途:软轴单晶炉,是在惰性气体环境中,以石墨电阻加热器加热,使硅半导体材料熔化,用直拉法生长无错
           位单晶的设备。它可生产大规模集成电路所需要的高质量单晶。
主要组成:炉室系统、提升系统、传动系统、抽气系统、充气系统、水冷系统、加热系统、电控系统。
主要特点:温度自动控制、电机调速控制、光环法单晶直径自动控制、单晶熔体自动跟随、单晶重量及长度显
           示等功能。各拉晶有关参数包括籽晶轴、坩埚轴的转动速度、晶升和埚升速度、炉内压力等数据都
           采用数字显示仪表指示。能稳定的控制生长直径3—8″、直径均匀的无错位单晶。主要部位冷却水
           温的检测与超温报警、冷却水欠压报警。籽晶轴、坩埚轴超程限位报警,及应急手动提升机构,电
           流过流保护等。
硅单晶炉主要技术参数




























































































































































































































                规格型号
指标参数


SPC-30



SPC-60



电源电压



380VAC



380VAC



电源频率



50Hz



50Hz



电源相数



3



3



变压器容量



160KVA



200KVA



加热器最大加热功率



120KW



150KW



加热器最高电压



70V



70V



最高加热温度



1600



1600



冷炉极限真空度



3 Pa



3 Pa



晶体直径



36



68



装料量



30Kg



60Kg



籽晶拉速范围



0.1-10mm/min



0.1- 10mm/min



籽晶快速



10-320mm/min



10400mm/min



籽晶转速



1-50rpm



140 rpm



籽晶在炉内有效行程???



2300mm



2550mm



晶升升速时爬行量

 

0.01mm



籽晶轴摆动量引晶位置处

 

≤φ2mm



坩埚升速范围



0.02-2.5mm/min



0.02- 2.5mm/min



坩埚升快速



35mm/min



60 mm/min



坩埚转速范围



1-30rpm



130rpm



坩埚在炉内行程



360mm



<400mm



埚升爬行升速

 

0.006mm



坩埚轴圆跳动

 

0.08mm



最大冷却水压



0.3MPa



0.3MPa



主机外形尺寸:

 

2530×1703×5730mm



主机工作高度



4900mm



6000mm



主机重量



2500kg



4500 Kg

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