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供应MCZ-2800-96A型磁场砷化镓高压单晶炉(图)

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详细说明

0000MCZ-2800-96A型磁场砷化镓高压单晶炉，是工业化生产GaAs单晶的主要设备。设备投料量为28Kg，最大可到50Kg，适于4″-6″GaAs单晶的生长，是新一代的高压单晶炉。本单晶炉用于在高压环境下原位合成GaAs后，降至中压完成GaAs单晶的生长。

0000本合成炉炉室内腔尺寸优化设计为φ572×1200，最大工作压力为9.6Mpa，满足晶体生长需要。设备的主炉室采用0Cr18Ni9不锈钢，按高压容器严格设计、制造及检测。并可依据客户需求，配备0-2000高斯磁场强度可调的永磁场，达到等效微重力晶体生长能力。设备配有进口精密重量传感器，采用进口研华586工控机和专门研制的计算机软件用于上称重法控制晶体等径生长。

* 主要技术参数 *
1.主炉室内腔尺寸:	标准型	φ572×1200（内腔可任选φ510-φ650）
2.最大工作压力:		9.6 MPa（94.74atm）
3.真空度:		≤3 Pa
4.坩埚直径:		10″或12″（φ254或φ305.8）
5.装料量:		28 Kg （Max 50Kg）
6.加热器功率:	下加热器功率	35 KVA（28KW）
	主加热器功率	120 KVA（96KW）
	后加热器功率	35 KVA（28KW）
7.磁场强度:	磁场强度连续可调	0-2000 Gs
8.称重传感器:	S型	25 Kg（最大50Kg）
9.坩埚杆运动参数:	有效行程	280
	转速	0-50 rpm
	拉速	0000.5-50 mm/h
10.提升杆运动参数:	0有效行程	875
	0转速	000.-50 mm/min
	0拉速	0000.5-50 mm/h
011.主机最大高度:		4355

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