MCZ-2800-80B型合成炉，用于GaAs材料的合成，最高工作压力为9.6MPa。该合成炉的炉室采用0Cr18Ni9不锈钢制造，用底加热器及主加热器二段式加热并形成合理的热场，同时采用进口研华586工控机对合成过程进行控制，本设备与MCZ-2800-20C型中压单晶生长炉配套使用，适宜工业化生产GaAs单晶。

* 主要技术参数 *
1.主炉室内腔尺寸:		φ572×1200
2.最大工作压力:		9.6 MPa（94.74atm）
3.真空度:	冷炉极限真空度	≤3 Pa
4.坩埚直径:		10″或12″（φ254或φ305.8）
5.装料量:		28 Kg （Max 50Kg）
6.加热	加热方式	二段式石墨电阻加热
	0000下加热器	0000120 KVA（96KW）
	0000主加热器	000035 KVA（28KW）
9.坩埚杆运动参数:	有效行程	270
	0000转速	0-50 rpm
	0000拉速	0000.5-50 mm/h
	00000快速	000手动
10.水冷系统	工作压力	000.-50 mm/min
	0000 流量	000 000.5-50 mm/h
11.主机:	物理尺寸	2423×1570×1790
	0000占地面积	0000约2423×3000
	0000高度	00004355
	0000重量	0000约2500 Kg