VB-60型磷化铟单晶炉,是在惰性气体环境中,以石墨电阻加热器,半导体原材料熔化后,采用垂直布里奇曼法生长无错位单晶的设备，它可生产大规模集成电路所需要的高质量单晶。信号处理采用台湾研华公司IPC-586 多媒体工业控制计算机，用于温度校正信号（十通道二十段可编程函数发生器）和称重等径控制及其它相关参数的计量与实时显示。整个系统设计以高可靠性为基础追求高技术性能。

* 主要技术参数 *
1.主炉室内腔尺寸:	两端均可打开	φ390×1200
2.最大工作压力:	炉外壁通水冷却	≥6 MPa
3.真空度:	冷热真空	≥1 Pa
4.漏气速率:	冷、热高压	≤0.05MPa/24h
5.加热	加热方式	六段、各自独立控温
	0000温度起伏	00 0≤ 0.5℃
	0000加热温度	0000≥1100℃（炉内压力4 MPa）
9.坩埚杆运动参数:	有效行程	300
	0000快速
	0000慢速	000
	00000爬行	00≤ 0.010
10.报警	0炉内压力	0.-50 mm/min
	0减压阀放气	00.5-50 mm/h