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对晶片、陶瓷片、玻璃片(圆片或方片)的一次性曝光,特别适用于声表面波器件、光栅、分划板、可控硅等的曝光,二极管、三极管、分立元件的第一次光刻。主要技术指标:1.适用于4"、3"、2"基片,基片厚度≤1.5mm。2.具有相对应的版夹盘,□5"×5"、□4"×4"、□2.5"×2.5"。3.调密着真空度,能实现硬接触,软接触曝光和微力接触曝光。4.采用多点光源曝光头,光的不均匀性≤±6%,曝光时间0~999.9秒可调。5.具的预定位靠尺:利用基片切边进行定位,定位精度≤0.1mm。6.具有双工位承片台。利用曝光时间,进行卸片、上片工作。
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