LPCVD化学相沉积设备,LPCVD化学相沉积设备价格,LPCVD化学相沉积设备销售

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为您详细介绍：LPCVD化学相沉积设备产品,希望LPCVD化学相沉积设备可以为您的企业解决生产中的问题！
LPCVD化学相沉积设备参数：简单描述：设备用途：用于半导体器件工艺中氮化硅、二氧化硅、多晶硅的薄膜制备。设备特点：一次设定自动完成，可另配特气柜。真空系统可选配进口机组。 LPCVD化学相沉积设备参数：设备特点：一次设定自动完成，可另配特气柜。真空系统可选配进口机组。主要技术指标： ★制备3-4吋氮化硅、多晶硅和二氧化硅薄膜 ★温度400-900℃ ★恒温区600 mm±0.5℃ ★真空系统机械泵+罗茨泵,配有抽气冷井 ★控温器采用进口5吋触摸屏 ★通入气体SiH4、NH3和N2 ★进口质量流量计控制 ★阀门用进口气动阀和减压阀 ★动作顺序为PLC编程控制 ★薄膜压力控制器加阀闭环控制压强。
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本文阅读关键词：用于半导体器件工艺中氮化硅、二氧化硅、多晶硅的薄膜制备。设备特点：一次设定自动完成，可另配特气柜。

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发布时间:		价格说明:	LPCVD化学相沉积设备面议
有效期:		产品数量:	LPCVD化学相沉积设备现货
浏览人数:		包装说明:	LPCVD化学相沉积设备原厂包装
公　司:	青岛育豪微电子设备有限公司	联系人：	陈庆建添加为商业伙伴

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